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IGBT模塊的常識(shí)及使用注意事項(xiàng)
日期：2025-04-28 00:28
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摘要：
IGBT管是絕緣柵雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的簡(jiǎn)稱，它是80年代初誕生，90年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子元件IGBT管是由MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管和BJT雙極型晶體管復(fù)合而成的，其輸入級(jí)為MOSFET，輸出級(jí)為PNP型大功率三極管，它融和了這兩種元件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET元件輸入阻抗高 響應(yīng)速度快 熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型元件通態(tài)電源低 耐壓高和輸出電流大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOS-FET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位IGBT管的開通和關(guān)斷是由柵極電源來控制IGBT管的。當(dāng)柵極加正電源時(shí)，OSFET內(nèi)形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT管導(dǎo)通，此時(shí)高耐壓的IGBT管也具有低的通態(tài)壓降 在柵極上加負(fù)電源時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT管即關(guān)斷 IGBT管與MOSFET一樣也是電源控制型元件，在它的柵極發(fā)射極間施加十幾伏的直流電源，只有微安級(jí)的漏電流，基本上不消耗功率，顯示了輸入阻抗大的優(yōu)點(diǎn)。
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